講座內(nèi)容：納米粒子點陣的光、電、磁特性質(zhì)與點陣中納米粒子的面間距密切相關(guān)。當納米粒子的面間距足夠小，電子可以通過隧道穿透或熱激活跳躍機制實現(xiàn)輸運，產(chǎn)生電導(dǎo)。納米粒子點陣的量子電導(dǎo)與納米粒子的面間距靈敏地相關(guān)。我們通過精細調(diào)控團簇束流沉積過程，實現(xiàn)在1nm量級控制納米粒子點陣中的面間距，并進而對納米粒子點陣中的電子輸運進行調(diào)控。我們研究了點陣在不同溫度及納米粒子覆蓋率下的電子輸運特征，并將其用于高靈敏度、寬量程、低功耗的氫氣傳感器和應(yīng)變傳感器的開發(fā)。金屬納米粒子在可見光激發(fā)下，可發(fā)生表面等離激元共振，導(dǎo)致入射光的電磁能量被集中于納米粒子表面附近，形成巨大增強的局域場。納米粒子面間距不僅可用以調(diào)控點陣的量子電導(dǎo)，而且可用于通過近場耦合調(diào)控點陣的表面等離激元共振和局域場增強。我們的研究還表明，表面等離激元的局域場對納米粒子點陣中的電子輸運也具有重要的影響。