講座內(nèi)容：傳統(tǒng)的薄膜晶體管一直是以低成本為主要特征的，而低遷移率限制了薄膜電子在更為高端層次上的應(yīng)用。因此，實(shí)現(xiàn)低成本、高性能薄膜晶體管，將會大大拓寬薄膜電子的應(yīng)用領(lǐng)域。尋找性能更加優(yōu)良的半導(dǎo)體材料體系，并開發(fā)與之兼容的高速、穩(wěn)定晶體管陣列成為當(dāng)前薄膜晶體管發(fā)展的迫切需求之一。課題組主要針對高性能薄膜晶體管的一系列問題進(jìn)行系統(tǒng)深入的研究，重點(diǎn)研究二維材料晶體管中柵介質(zhì)材料的界面問題，金屬氧化物/一維納米結(jié)構(gòu)復(fù)合薄膜器件潛力探索以及氧化鋅薄膜器件的穩(wěn)定性等問題。

1.利用溶膠凝膠法制備高性能非晶氧化銦鋅/單壁碳納米管復(fù)合薄膜。得到了高達(dá)140 cm²/V·s的場效應(yīng)遷移率，開關(guān)比約為10⁷的的薄膜晶體管。同時高機(jī)械性能的單壁碳納米管使得復(fù)合薄膜的機(jī)械柔韌性也得到了大幅度的提升。通過調(diào)節(jié)薄膜的組分，控制薄膜晶體管的開啟電壓，保持器件遷移率在～130 cm²/Vs左右，在工作電壓1伏的情況下，延遲時間可以達(dá)到2.2納秒。另外，我們也研究了基于非晶氧化物/納米線復(fù)合薄膜晶體管的光電器件，獲得了高透明度的多色可見光探測器件陣列。

2.研究基于二維硫化鉬的薄膜晶體管。由于硫化鉬材料表面缺乏懸掛鍵，很難用原子層沉積法獲得高質(zhì)量的介電材料。我們利用不同超薄金屬薄膜作為緩沖層，在低溫下在硫化鉬表面沉積高質(zhì)量的氧化鉿介電薄膜，研制出高電流密度和高遷移率的頂柵硫化鉬晶體管。并且利用這種頂柵晶體管組裝出高增益的反相器。

3.對傳統(tǒng)的氧化鋅薄膜晶體管進(jìn)行可控?fù)诫s和鈍化，獲得遷移率達(dá)到750px²/Vs，回滯小于1 V，高器件穩(wěn)定性的氧化鋅薄膜晶體管。